湖南娄底人，工学博士，教授，博士生导师，教育部 “新世纪优秀人才支持计划”人选、广西“新世纪十百千人才工程第二层次”人选、广西“杰出青年基金”获得者、入选十大网赌博正规信誉网址首届“英才计划”。1997年7月毕业于湖南大学电气系，专业电子工程。2003年4月毕业于湖南大学信息与工程学院，专业电工理论与新技术，获工学硕士学位。2006年5月毕业于中国科学院微电子研究所，专业微电子学与固体电子学，获工学博士学位。2006.6~2010.12期间在香港科技大学首席教授KeiMay Luo实验室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期间中国电子科技集团58所于宗光首席专家团队做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美国普渡大学Prof.Ye 团队做访问学者。2010年12月至今，任教十大网赌博正规信誉网址信息与通信学院。近五年主持国家/省部级等项目19项，其中包括国家自然科学基金面上项目两项、广西杰出青年自然科学基金1项、教育部新世纪优秀人才项目1项、广西自然基金（重点）1项等，科研总经费约600多万。在国内外学术刊物上发表研究论文50多篇，以第一作者或通讯作者发表SCI检索论文16篇，包括微电子学顶级刊物IEEE Electron Device Letters发表论文3篇。授权国家发明专利8项。出版专著《射频/微波功率新型器件导论》1部（第二），获得广西自然科学二等奖1项（排名第一），中国电子科技集团技术发明二等奖1项（排名第三）。

1997.7 毕业于湖南大学，电子工程专业，大学；

2003.4 毕业于湖南大学，电工理论与新技术，硕士；

2006.6 毕业于中科院微电子研究所，微电子学与固体电子学，博士；

2006-6-2010.12 香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后（第一站）；

2011.12-2014.12 中国电子科技集团58所，博士后（第二站）；

2014.9-2015.9 美国普渡大学，访问学者

1、1997.09–2000.07 深圳华为技术有限公司 技术员；

2、 2006.06–2010.12 香港科技大学电子与计算机工程系 博士后（第一站）

3、 2010.12–至今 十大网赌博正规信誉网址信息与通信学院 教授

4、 2011.12–2015.01 中国电子科技集团58所 博士后（第二站）

1、2006年入选“香港内地人才输入计划”；

2、2013年教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者；

3、2013年广西“杰出青年基金”获得者；

4、2014年为十大网赌博正规信誉网址学术带头人；

5、2015年广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选；

6、2017年十大网赌博正规信誉网址首届“英才计划”人选；

7、2018年广西区优秀专家人选。

（1）Haiou Li（李海鸥）, Yue Li, Gongli Xiao, Xi Gao, Qi Li, Yonghe Chen, Tao Fu, Tangyou Sun, Fabi Zhang*, and Naisen Yu*, Simple Fabrication ZnO/β-Ga2O3 Core/Shell Nanorod Arrays and Their Photoresponse Properties, Optical Materials Express, 2018, 8(4):794-803

（2）Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*（李海鸥） & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8

（3）XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*（李海鸥）, Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954

（4）Weihua Kang, Xiaodong Zhang, Xian Ji, Yong Cai, Jiahui Zhou, Wenjun Xu, Qi Li, Gongli Xiao, Baoshun Zhang and Haiou Li*（李海鸥）, Fabrication of 45-nm high In component metamorphic In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channel HEMTs on GaAs substrates, Electronics Letters, 2016, 52(4): 318-319

（5）Xiao-fengWu，Shi-gang Hu，H.O. Li*（李海鸥）, Jin Li，Zai-fang Xi，Ying-lu Hu, A Kind of Coating Method of GaN-MOCVD Graphite Susceptor，Journal of nanomaterials, 2015, 24(3): 037203-037206

（6）WU XiaoFeng，LIU HongXia， H.O. Li*（李海鸥），LI Qi，HU ShiGang，XI ZaiFang， ZHAO Jin, Fabrication of 150-nm Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As HEMTs on GaAs substrates，SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(12): 2389-2391

（7）Ming Li, H.O. Li（李海鸥）, Chak Wah Tang, and Kei May Lau*, S. Lawrence Zipursky*, Fabrication of 100-nm Metermorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Si Substrate by MOCVD,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(4): 498-500

（8）HaiOu LI（李海鸥）, HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648

（9）H.O. Li（李海鸥）, Zhihong Feng，C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/ GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(9):1224-1226

（10）H.O. Li（李海鸥）, C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564

（1）黄伟，李海鸥，于宗光，吴笑峰，首照宇，射频/微波功率新型器件导论， 复旦大学，200千字，2013

【1】李海鸥(1/15), 化合物半导体微纳器件与集成电路研究, 广西区人民政府, 广西自然科学奖, 二等奖, 2017 (李海鸥, 蔡勇, 高喜, 李琦, 陈永和)

【2】李海鸥(3/6), 可融合GaN/Si功率集成与高频数字化节能关键技术, 中国电子科技集团, 中国电子科技集团技术发明奖, 二等奖, 2015 (黄伟, 于宗光, 李海鸥, 王胜，万清，胡南中)

1. 广西自然科学基金项目（重点）,常关型GaN功率器件制备和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.08

2.国家自然科学基金面上项目，61474031，硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备，2015/01-2018/12，89万元，在研，主持

3.广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选，2015年，电子科学与技术

4.国家自然科学基金面上项目，61274077，硅基GaN HEMTs 超级结器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86万元，已结题，主持

5.中国博士后科学基金委（特别资助）,硅基高迁移率III-V族半导体材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.05 6.教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，2013年，电子科学与技术

【1】李海鸥，吉宪，李琦，李跃，黄伟，马磊，首照宇，吴笑峰，李思敏, 一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法, 2017.6.11, 中国, ZL201510058652.5，中国国家知识产权局

【2】李海鸥，吉宪，李琦，黄伟，马磊，首照宇，吴笑峰，李思敏， 一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法, 2017.5.10, 中国, ZL201510057805.4，中国国家知识产权局

【3】李海鸥，周佳辉，闭斌双，林子曾, 金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件及制备方法, 2017.2.15, 中国, ZL201410283229.0，中国国家知识产权局

【4】李海鸥, 李琦，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃，线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件, 2017.8.22, 中国, ZL201410564342.6，中国国家知识产权局

【5】李琦，李海鸥，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃，等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件，2014.10.22，中国，ZL201410564342.6，中国国家知识产权局

【6】李海鸥，黄伟，吴笑峰，李思敏，首照宇，于宗光，李琦，胡仕刚，邓洪高, 基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法, 2015.7.1, 中国, ZL201310021186.4

email: lihaiou@guet.edu.cn or 30962055@qq.com